[发明专利]一种具有转移信号功能的3D芯片冗余硅通孔容错结构

摘要

本发明公开了一种具有转移信号功能的3D芯片冗余硅通孔容错结构，3D芯片包括上层晶片和下层晶片；上层晶片和下层晶片上均设置有纵横排成多行多列的圆孔；上层晶片和下层晶片的每一对相对应的圆孔之间通过一个硅通孔相连接；在上层晶片和下层晶片上，每个硅通孔的端部都通过一个多路选择器与一个信号传输端子相连接；上层晶片和下层晶片上都分别设置有两个交叉开关；交叉开关均与多路选择器相连接；上层晶片的交叉开关通过两个冗余硅通孔与下层晶片的交叉开关相对应地连接。本发明的3D芯片冗余硅通孔容错结构，具有可解决硅通孔失效导致信号无法正常传输的问题、有效提高芯片的良率、硬件成本低，结构简单且容错能力高等优点。

主权项

一种具有转移信号功能的3D芯片冗余硅通孔容错结构，其特征是，所述3D芯片包括上层晶片（1）和下层晶片（2）；所述上层晶片（1）和下层晶片（2）上均设置有纵横排成多行多列的圆孔（3）；上层晶片（1）的圆孔（3）和下层晶片（2）的圆孔（3）上下一一对应，上层晶片（1）和下层晶片（2）的每一对相对应的圆孔（3）之间通过一个硅通孔（4）相连接；在上层晶片（1）和下层晶片（2）上，每个硅通孔（4）的端部都通过一个多路选择器（5）与一个信号传输端子（6）相连接；所述上晶片（1）上设置有两个上层晶片交叉开关，分别为第一上层晶片交叉开关（7）和第二上层晶片交叉开关（8）；所述下层晶片（2）上设置有两个下层晶片交叉开关，分别为第一下层晶片交叉开关（9）和第二下层晶片交叉开关（10）；所述上层晶片（1）的多路选择器（5）均与所述两个上层晶片交叉开关相连接；所述下层晶片（2）的多路选择器（5）均与所述两个下层晶片交叉开关相连接；所述第一上层晶片交叉开关（7）通过两个冗余硅通孔（11）与第一下层晶片交叉开关（9）相连接，所述第二上层晶片交叉开关（8）通过两个冗余硅通孔（11）与第二下层晶片交叉开关（10）相连接。