[发明专利]封闭的MEMS器件的内部电接触有效
申请号: | 201410044191.1 | 申请日: | 2014-01-30 |
公开(公告)号: | CN103964366B | 公开(公告)日: | 2017-09-12 |
发明(设计)人: | 克刚·黄;申钟禹;马丁·利姆;迈克尔·朱利安·达内曼;约瑟夫·西格 | 申请(专利权)人: | 因文森斯公司 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81C1/00 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人: | 白云,郑霞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在此披露了一种MEMS器件。这种MEMS器件包括一个MEMS衬片。该MEMS衬片包括一个第一半导体层,该第一半导体层由处于中间的一个介电层连接到一个第二半导体层上。由该第二半导体层形成了多种MEMS结构,并且这些结构包括多个第一导电垫片。这种MEMS器件进一步包括一个基底衬片,该基底衬片包括在其上的多个第二导电垫片。这些第二导电垫片被连接到第一导电垫片上。最后,这种MEMS器件包括一个导电连接件,这个导电连接件是穿过该MEMS衬片的介电层而形成的以提供在该第一半导体层与该第二半导体层之间的电耦联。该基底衬片被电连接到该第二半导体层以及第一半导体层上。 | ||
搜索关键词: | 封闭 mems 器件 内部 接触 | ||
【主权项】:
一种MEMS器件,包括:一个MEMS衬片,该MEMS衬片包括一个第一半导体层、一个第二半导体层、以及在二者之间的一个介电层,该第一半导体层具有第一表面和第二表面,其中该第一表面与该介电层接触;其中由该第二半导体层形成多个MEMS结构并且这些MEMS结构包括多个第一导电垫片;一个基底衬片,该基底衬片包括在其上的多个第二导电垫片,其中这些第二导电垫片被连接到这些第一导电垫片上;以及一个导电连接件,该导电连接件是仅穿过该介电层、该第二半导体层以及该第一半导体层的该第一表面而形成的,以便提供在该第一半导体层与该第二半导体层之间的电耦联,由此使该基底衬片电连接到该第二半导体层以及该第一半导体层上。
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