[发明专利]一种区间匹配CAM单元电路及其组成的RCAM存储器

摘要

本发明涉及集成电路制造技术领域，一种区间匹配CAM单元电路及其组成的RCAM存储器，所述高电压摆幅大于区间匹配单元GERMC电路中，第五NMOS管MN5与第一PMOS管MP1互补组合，MP1栅极与D#端相连，源极与第三输入SL相连，第六NMOS管MN6与第二PMOS管MP2互补组合，MP2栅极与D端相连，源极与第四输入SL#相连，两个相互串联组合管之间连接的节点处均与第一、第二NMOS管MN1、MN2的栅极相连，第三NMOS管MN3的漏极与第二输入GE path相连，其栅极与D#端相连。本发明引入两个PMOS管将传输管MN5与MN6变成传输门，提高了P点电压摆幅，可以达到电源电压VDD，使等于链与大于链的信号传输速度增加，电路速度变快，同时也提高了单元电路的鲁棒性，提高了抗噪声能力。

主权项

一种区间匹配CAM单元电路组成的RCAM存储器，其特征在于：包括第一级级联的RMC单元电路100、三个后级级联的RMC单元电路101及结果处理单元电路102；所述第一级级联的RMC单元电路100包括等于链EQ_Chain电路200、大于链GE_Chain电路201，m个电路204和一个电路205，其中，电路204级联级数m为大于零的正整数；所述后级级联的RMC单元电路101包括等于链EQ_Chain电路202，大于链GE_Chain电路203 ，m个电路204和一个电路205，其中，电路204级联级数m为大于零的正整数；所述第一级级联的RMC单元电路100中的等于链EQ_Chain电路200的输出EQ_G3分别与第二级电路101中的等于链EQ_Chain电路202的evl端及大于链GE_Chain电路203的evl端连接，所述第二级和第三级电路101中的等于链EQ_Chain电路202的输出EQ_G2分别与第三级和第四级电路101中的等于链EQ_Chain电路202的evl端及大于链GE_Chain电路203的evl端连接，第四级电路101中的等于链EQ_Chain电路202的输出EQ_G0分别与结果处理单元电路102中的第一PMOS管MP1及第五NMOS管MN5的栅极连接，所述第一级级联的RMC单元电路100中的大于链GE_Chain电路201的GE_G3分别与结果处理单元电路102中的第五PMOS管MP5及第四NMOS管MN4的栅极连接，所述第二级电路101中的大于链GE_Chain电路203的GE_G2分别与结果处理单元电路102中的第四PMOS管MP4的栅极及第三NMOS管MN3的栅极连接，所述第三级电路101中的大于链GE_Chain电路203的GE_G2分别与结果处理单元电路102中的第三PMOS管MP4的栅极及第二NMOS管MN3的栅极连接，所述第四级电路101中的大于链GE_Chain电路203的GE_G0分别与结果处理单元电路102中的第二PMOS管MP2的栅极及第一NMOS管MN1的栅极连接。