[发明专利]MOS晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201410045265.3 | 申请日： | 2014-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104821276B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOS晶体管的制作方法。所述MOS晶体管的制作方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成高K栅介电层，所述高K栅介电层的初始厚度大于目标厚度；对所述高K栅介电层进行掺氮处理；对掺氮处理后的所述高K栅介电层进行减薄处理以使所述高K栅介电层的厚度等于所述目标厚度；在减薄后的所述高K栅介电层上形成金属栅极。本发明可以提高沟道的流动性，且避免产生BTI问题。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成高K栅介电层，所述高K栅介电层的初始厚度大于目标厚度,所述初始厚度范围为![]()
所述目标厚度范围为![]()
对所述高K栅介电层进行掺氮处理；对所述高K栅介电层进行退火处理；对掺氮处理后的所述高K栅介电层进行减薄处理以使剩余的所述高K栅介电层的厚度等于所述目标厚度；在减薄后的所述高K栅介电层上形成金属栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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