[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：在向半导体衬底内的凹槽，以及半导体衬底上形成金属材料层后，采用车刀切割工艺去除部分金属材料层，使得凹槽内的金属材料层表面与半导体衬底表面齐平；之后，使两块半导体衬底键合连接。采用车刀切割工艺去除部分金属材料层后，剩余的金属材料层表面的晶粒排列杂乱，在晶粒中出现大量的断层，晶粒的晶胞呈畸形，并在晶胞中出现大量原子空缺，上述结构在后续键合过程中，可提高两块半导体衬底上的金属材料层之间的原子扩散效率，从而在确保金属材料层之间键合强度的同时，可有效降低键合工艺的温度，从而避免过高温度造成半导体衬底以及半导体衬底内的器件损伤。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于：包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成凹槽；在所述凹槽中填充金属材料层；采用车刀切割去除部分所述金属材料层，使得所述凹槽内的剩余金属材料层表面与所述半导体衬底表面齐平；使两块所述半导体衬底键合连接，键合时将两块所述半导体衬底相对堆叠且两块半导体衬底内的金属材料层表面相互贴合。