[发明专利]一种形成FinFET器件的鳍片的方法有效
| 申请号： | 201410045930.9 | 申请日： | 2014-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN104835738B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种形成FinFET器件的鳍片的方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成图案化的锗硅层；在图案化的锗硅层的顶部和侧壁上外延生长硅层；在半导体衬底上形成覆盖图案化的锗硅层的牺牲材料层；回蚀刻牺牲材料层，同时去除图案化的锗硅层顶部的硅层，直至牺牲材料层的顶部与图案化的锗硅层的顶部平齐为止；去除锗硅层；去除牺牲材料层以形成鳍片。根据本发明，通过外延的方式定义鳍片的特征尺寸，不会出现通过图形化的方式定义鳍片的特征尺寸时面临的鳍片的线宽粗糙度和线边缘粗糙度的精度控制问题，提升FinFET器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 finfet 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成FinFET器件的鳍片的方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成图案化的锗硅层；在所述图案化的锗硅层的顶部和侧壁上外延生长硅层；在所述半导体衬底上形成覆盖所述图案化的锗硅层的牺牲材料层，所述牺牲材料层的构成材料为有机材料；回蚀刻所述牺牲材料层，同时去除所述图案化的锗硅层顶部的硅层，直至所述牺牲材料层的顶部与所述图案化的锗硅层的顶部平齐为止；去除所述锗硅层；去除所述牺牲材料层以形成所述鳍片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410045930.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
