[发明专利]基于红外线的量测于硅穿孔周围应力及缺陷的侦测

摘要

本发明涉及一种基于红外线的量测于硅穿孔周围应力及缺陷的侦测，其提供一种基于IR的测量的方法用以侦测在半导体装置的TSV周围的应力及/或缺陷。具体言之，在一典型具体实施例中，IR光束会由IR光源射出穿过在TSV周围的材料。一旦该IR光束穿过在该TSV周围的材料，用一或更多算法分析该光束以确定有TSV应力及/或缺陷(例如，嵌入裂痕等等)有关的信息。在一具体实施例中，该IR光束可分成第一部分与第二部分。该第一部分会穿过在TSV周围的材料同时该第二部分绕过该TSV。在该第一部分穿过该TSV周围的该材料后，这两个部分随后可再结合，以及如上述，可分析所得光束。

主权项

一种基于红外线IR的测量的方法，包含：使源于IR光源的IR光束穿过在半导体装置的硅穿孔TSV周围的材料，其中该IR光束含有折射率的微扰；以及在该IR光束穿过该TSV周围的该材料后，分析该IR光束且测量该TSV周围的该材料的一组光学性质的微扰，以确定关于该TSV周围的应力或缺陷的信息，其中该TSV周围的该材料的该组光学性质的微扰受到该半导体装置总厚度的影响。