[发明专利]一种基于沟槽底部的金属层形成方法在审
| 申请号： | 201410046778.6 | 申请日： | 2014-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN104835714A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 李理 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于沟槽底部的金属层形成方法，该方法包括：采用第一酸性溶液清洗半导体器件的沟槽；依次在该沟槽的上下平面以及侧壁形成金属层和树脂层，并对该树脂层进行加热固化处理；采用干法刻蚀的方法对该树脂层进行去除处理，以露出该沟槽的上平面以及侧壁上方部分的金属层；采用第二酸性溶液去除该露出的该沟槽的上平面以及侧壁上方部分的金属层，并采用该干法刻蚀的方法去除剩余的树脂层，以在该沟槽的下平面上覆盖该金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 沟槽 底部 金属 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种基于沟槽底部的金属层形成方法，其特征在于，包括：采用第一酸性溶液清洗半导体器件的沟槽；依次在所述沟槽的上下平面以及侧壁形成金属层和树脂层，并对所述树脂层进行加热固化处理；采用干法刻蚀的方法对所述树脂层进行去除处理，以露出所述沟槽的上平面以及侧壁上方部分的金属层；采用第二酸性溶液去除所述露出的所述沟槽的上平面以及侧壁上方部分的金属层，并采用所述干法刻蚀的方法去除剩余的树脂层，以在所述沟槽的下平面上覆盖所述金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410046778.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种浪涌保护器移动滑轨
- 下一篇：潜水型差压变送器电缆密封装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
