[发明专利]离子注入机台基准起始注入角度的校准方法

摘要

本发明公开了一种的离子注入机台基准注入角度的确定方法，该方法在靠近校准前的基准起始注入角度的范围内分别对多个晶圆进行离子注入，以获得多份晶格损伤度和与其对应的注入角度的数据，再在坐标系中通过这些数据拟合出晶格损伤度和注入角度的关系曲线。对于离子注入机台来说，恰好位于基准注入角度的离子注入所造成的晶格损伤度位于该关系曲线的顶点，进而将该关系曲线的顶点所对应的角度作为校准后的基准起始注入角度。本发明所获得的校准后的基准起始注入角度的误差可控制在0.3度以内，大大小于现有的离子注入机台的误差。

主权项

1.一种离子注入机台基准起始注入角度的校准方法，包括：在离子注入机台中，以45度的初始注入角度对第一待注入晶圆进行离子注入，以获取第一晶格损伤度和与其对应的45度的初始注入角度的数据；在所述离子注入机台中，从所述45度的初始注入角度开始设置至少两个不同注入角度，以采用所述至少两个不同注入角度对至少两个待注入晶圆分别进行离子注入，以获取至少两份晶格损伤度和与其对应的注入角度的数据；将获取的所有的晶格损伤度和与其对应的注入角度的数据标示坐标系中，并对坐标系中标示出的点进行拟合，以获得晶格损伤度和注入角度的关系曲线；将所述关系曲线的顶点所对应的角度，作为所述离子注入机台校准后的基准起始注入角度。