[发明专利]一种室温下气-固相原位反应制备单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜的方法有效
| 申请号： | 201410048793.4 | 申请日： | 2014-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN103779447A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 郑直;张蕾;雷岩;程佳美;魏杰;王丞相;贺迎迎 | 申请（专利权）人： | 许昌学院;郑直 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/074 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 乔宇 |
| 地址： | 461000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种气-固相原位反应制备单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜的方法，其包括如下步骤：（1）将n型单晶硅片进行表面腐蚀处理，得到表面为金字塔状阵列结构的n型单晶硅片；（2）在n型单晶硅片表面制备单质铜层，得到覆铜n型单晶硅片；（3）制备单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜：20-30℃下将步骤（2）得到的覆铜n型单晶硅片放入布满饱和碘蒸气的密闭反应器中反应15-50分钟。该方法在室温条件下制备，覆铜表面完全转化形成碘化亚铜，反应温度低，对单晶硅基底无影响，且反应过程可控，操作方便，制备时间短。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 室温 下气 原位 反应 制备 单晶硅 碘化 本体 异质结 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种室温下气‑固相原位反应制备单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：（1）将n型单晶硅片进行表面腐蚀处理，得到表面为金字塔状阵列结构的n型单晶硅片；（2）在n型单晶硅片表面制备单质铜层，得到覆铜n型单晶硅片；（3）制备单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜：20‑30℃下将步骤（2）得到的覆铜n型单晶硅片放入布满饱和碘蒸气的密闭反应器中反应15‑50分钟，得到单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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