[发明专利]用于磁控溅射的掺氟氧化锡靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 201410048945.0 | 申请日： | 2014-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN103849844A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 杨希川 | 申请（专利权）人： | 大连七色光太阳能科技开发有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 裴毓英 |
| 地址： | 116021 辽宁省大连市高*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于磁控溅射的掺氟氧化锡靶材及其制备方法，用于磁控溅射的掺氟氧化锡靶材的制备方法包括以下步骤：高温条件下，分别将锡化合物与氟化合物气化后混合，并由载气将此混合气体带至高温反应器中，在反应器内壁或底部生成FTO结晶或粉末；将此FTO结晶或粉末进行研磨、压片，得到用于磁控溅射的掺氟氧化锡靶材。本发明用于磁控溅射的掺氟氧化锡靶材的制备方法简单、易行，能实现用于磁控溅射的掺氟氧化锡靶材的工业化生产，由该方法制备的掺氟氧化锡靶材生产的FTO导电玻璃导电性好，透光性佳，与基底结合牢固，镀膜层致密、均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 磁控溅射 氧化 锡靶材 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于磁控溅射的掺氟氧化锡靶材的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：高温条件下，分别将锡化合物与氟化合物气化后混合，并由载气将此混合气体带至高温反应器中，在反应器内壁或底部生成FTO结晶或粉末；将此FTO结晶或粉末进行研磨、压片，得到用于磁控溅射的掺氟氧化锡靶材。
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