[发明专利]利用自对准双图案化技术于网格外布线结构的方法有效
申请号: | 201410049176.6 | 申请日: | 2014-02-12 |
公开(公告)号: | CN104064515B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 袁磊;J·桂;H·J·莱文森 | 申请(专利权)人: | 格罗方德半导体公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人: | 程伟,王锦阳 |
地址: | 英属开曼群*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及利用自对准双图案化技术于网格外布线结构的方法,所揭示的是一种用于有效轨道外布线的方法以及产生的装置。具体实施例包括在基底上提供硬掩模;在硬掩模上提供多个第一心轴(mandrel);于各第一心轴的各侧上提供第一分隔物;与第一心轴分开并且在两个第一分隔物之间提供基底的多个第一非心轴区,第一心轴、第一非心轴区、和第一分隔物各具有等于一距离的宽度;以及提供宽度至少是所述距离两倍并且藉由第二分隔物与其中一个第一非心轴区分开的第二心轴。 | ||
搜索关键词: | 利用 对准 图案 技术 网格 布线 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种制造集成电路的方法,包含:在基底上提供硬掩模;在该硬掩模上提供多个第一心轴;在各该第一心轴的各侧上提供第一分隔物;提供与该等第一心轴分开并且介于两个该等第一分隔物之间的该基底的多个第一非心轴区,该第一心轴、第一非心轴区和第一分隔物各具有等于一距离的宽度;以及提供宽度为该距离至少两倍并且藉由第二分隔物与该等第一非心轴区的其中一者分开的第二心轴及/或提供宽度为该距离至少两倍并且毗邻于该等第一分隔物或第三心轴的第三分隔物的至少其中一者以及与一个或多个阻挡掩模分开的第二非心轴区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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