[发明专利]一种发光器件芯片及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201410050409.4 申请日: 2014-02-13
公开(公告)号: CN103779460A 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 廉鹏;李有群 申请(专利权)人: 马鞍山太时芯光科技有限公司
主分类号: H01L33/02 分类号: H01L33/02;H01L33/36;H01L33/00
代理公司: 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 代理人: 郑自群
地址: 243000 安徽省马鞍山市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提出了一种发光器件芯片及其制造方法,其中一种发光器件芯片包括:自下而上依次为反射衬底、N电极、外延层N区、有源区、外延层P区和P电极,反射衬底包括介质层、银镜和铜衬底,反射衬底通过生长衬底的转换方式形成。本发明的生长衬底的As不会带入发光器件制备的后续工艺流程,降低工业废水的污染治理成本;反射衬底能够提高散热性能,同时生长衬底可以重复利用,降低生产成本,使得其具有明显的技术先进性和良好的经济效益。
搜索关键词: 一种 发光 器件 芯片 及其 制造 方法
【主权项】:
一种发光器件芯片,其特征在于,包括:自下而上依次为反射衬底、N电极、外延层N区、有源区、外延层P区和P电极,所述反射衬底包括介质层、银镜和铜衬底,所述反射衬底通过生长衬底的转换方式形成。
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