[发明专利]一种变掺杂区的形成方法和装置

摘要

本发明提供变掺杂区的形成方法和装置，包括在栅极和栅氧化层表面生长多层复合膜层，包括至少两层不同材料的介质层第一介质层和第二介质层，介质层因栅极的存在而形成相应的台阶；进行光刻刻蚀，露出第一介质层对应于栅极边缘到漏极边缘的表面，进行第一次离子注入，范围为第一介质层的台阶边缘至漏极边缘，形成第一变掺杂区；腐蚀出第二介质层对应于栅极边缘到漏极边缘的表面，进行第二次离子注入，范围为第二介质层的台阶边缘至漏极边缘，形成第二变掺杂区；腐蚀出栅氧化层对应于栅极边缘到漏极边缘的表面，进行第三次离子注入，范围为栅极边缘至漏极边缘，形成第三变掺杂区。本发明较现有技术而言成本降低。

主权项

一种变掺杂区的形成方法，其特征在于，包括：在源漏极形成后，在栅极和栅氧化层表面生长多层复合膜层，所述多层复合膜层包括至少两层不同材料的介质层：第一介质层和第二介质层，所述介质层因栅极的存在而形成相应的台阶；在所述多层复合膜层上进行光刻刻蚀，露出所述第一介质层对应于栅极边缘到漏极边缘的表面，进行第一次离子注入，离子注入衬底的范围为所述第一介质层的台阶边缘至漏极边缘，形成第一变掺杂区；腐蚀出所述第二介质层对应于栅极边缘到漏极边缘的表面，进行第二次离子注入，离子注入衬底的范围为所述第二介质层的台阶边缘至漏极边缘，形成第二变掺杂区；腐蚀出所述栅氧化层对应于栅极边缘到漏极边缘的表面，进行第三次离子注入，离子注入衬底的范围为栅极边缘至漏极边缘，形成第三变掺杂区。