[发明专利]图像传感器和电子装置有效
申请号: | 201410050892.6 | 申请日: | 2014-02-14 |
公开(公告)号: | CN104009051B | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 大久保智弘 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种图像传感器包括形成为半导体芯片的多个单元像素,其每一个具有光电转换部、保持电荷存储在光电转换部中的电荷保持部、将从电荷保持部传输的电荷转换成电压的电荷电压转换部以及其间开口形成在光电转换部之上的遮光膜。多个单元像素设成像素阵列形式的矩阵。遮光膜的形状根据像素阵列中单元像素的位置而变化。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 电子 装置 | ||
【主权项】:
一种图像传感器,包括形成为半导体芯片的多个单元像素,每个单元像素具有:光电转换部,电荷保持部,保持存储在该光电转换部中的电荷,电荷电压转换部,将从该电荷保持部传输的电荷转换成电压,以及遮光膜,在该遮光膜之间的开口形成于该光电转换部上方,其中该多个单元像素在像素阵列中设置成矩阵,并且该遮光膜的形状根据该单元像素在该像素阵列中的位置变化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的