[发明专利]一种湿法去除多晶硅的方法在审
| 申请号： | 201410051081.8 | 申请日： | 2014-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN103794492A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 冯春蓉;李朝阳;丁新松 | 申请（专利权）人： | 四川飞阳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 610209 四川省成都市双*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种湿法去除多晶硅的方法，包括：将第一晶圆置于氢氧化钾溶液中，反应后得到第二晶圆；所述第一晶圆包括依次叠加设置的第一多晶硅、二氧化硅、石英基材与第二多晶硅，所述第二晶圆包括依次叠加设置的二氧化硅与石英基材。本申请采用氢氧化钾溶液去除石英基材表面的多晶硅，氢氧化钾溶液并不会对石英基材以及石英基材表面的二氧化硅造成腐蚀，并且氢氧化钾溶液能够与多晶硅反应，将石英基材两个表面的多晶硅去除，因此本申请湿法去除多晶硅的方法能够有效去除石英基材表面的多晶硅，并且不会对石英基材造成损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 去除 多晶 方法 | ||
【主权项】：
一种湿法去除多晶硅的方法，包括：将第一晶圆置于氢氧化钾溶液中，反应后得到第二晶圆；所述第一晶圆包括依次叠加设置的第一多晶硅、二氧化硅、石英基材与第二多晶硅，所述第二晶圆包括依次叠加设置的二氧化硅与石英基材。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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