[发明专利]一种氮化硼纳米孔传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201410051811.4 | 申请日： | 2014-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN103868969A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 周智;胡颖;单欣岩;陆兴华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G01N27/403 | 分类号： | G01N27/403;B82Y15/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 王艺 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及基于固态纳米孔的分子或离子探测技术领域，尤其涉及一种氮化硼纳米孔传感器及其制造方法。氮化硼纳米孔传感器，其特征在于，包括基材，以及设置在基材上的氮化硼薄膜，所述氮化硼薄膜上设置有纳米孔，所述基材上设置有与所述纳米孔连通的通孔。本申请通过在原子层厚度的氮化硼薄膜上设置纳米孔，且经过处理后的氮化硼薄膜具有良好的亲水性，进而提高了纳米孔传感器的亲水性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 纳米 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化硼纳米孔传感器，其特征在于，包括基材，以及设置在基材上的氮化硼薄膜，所述氮化硼薄膜上设置有纳米孔，所述基材上设置有与所述纳米孔连通的通孔。
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