[发明专利]对于电路可靠性老化的方法和装置在审
| 申请号： | 201410052000.6 | 申请日： | 2014-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN104849647A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 张致琛;X·豪尔斯;M·D·施洛夫;王传政;张奇林 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于集成电路可靠性老化仿真的方法，包括：将所述目标时间段划分成N个阶段，包括第一阶段和第二阶段；获取可靠性模型的用于所述第一阶段的第一参数值；对于所述第一阶段，基于所述可靠性模型和所述第一参数值对所述电路进行第一仿真，以获取第一老化结果；获取所述可靠性模型的用于所述第二阶段的第二参数值；以及对于所述第二阶段，基于所述可靠性模型和所述第二参数值对所述电路进行第二仿真，以获取第二老化结果。 | ||
| 搜索关键词： | 对于 电路 可靠性 老化 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种用于针对预定的目标时间段的电路可靠性老化仿真的方法，所述方法包括：将所述目标时间段划分成N个阶段，包括第一阶段和第二阶段，其中N是等于或大于2的自然数；获取可靠性模型的用于所述第一阶段的第一参数值；对于所述第一阶段，基于所述可靠性模型和所述第一参数值对所述电路进行第一仿真，以获取第一老化结果；基于所述第一老化结果获取所述可靠性模型的用于所述第二阶段的第二参数值；以及对于所述第二阶段，基于所述可靠性模型和所述第二参数值对所述电路进行第二仿真，以获取第二老化结果。
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