[发明专利]介质层缺陷的检测方法和检测装置

摘要

本发明公开了一种介质层缺陷的检测方法和检测装置。其中，该方法包括获取MOSFET的一个或多个特性参数的第一参数值，其中，MOSFET的栅极包括待测介质层；在待测介质层的外侧与MOSFET的源极或漏极之间加载预设电压，其中，加载预设电压的持续时间为预设时长；获取在执行加载操作后的一个或多个特性参数的第二参数值；根据第一参数值与第二参数值判断待测介质层的缺陷程度。本发明解决了现有技术无法检测芯片介质层中的缺陷的技术问题。

主权项

一种介质层缺陷的检测方法，其特征在于，包括：获取MOSFET的一个或多个特性参数的第一参数值，其中，所述MOSFET的栅极包括待测介质层；在所述待测介质层的外侧与所述MOSFET的源极或漏极之间加载预设电压，其中，加载所述预设电压的持续时间为预设时长；获取在执行所述加载操作后的所述一个或多个特性参数的第二参数值；根据所述第一参数值与所述第二参数值判断所述待测介质层的缺陷程度；其中，所述根据所述第一参数值与所述第二参数值判断所述待测介质层的缺陷程度包括：根据所述第一参数值与所述第二参数值之间的差值和/或比值获取与所述差值和/或所述比值对应的缺陷程度等级，其中，所述缺陷程度等级根据所述预设电压和所述预设时长设置，用于表示所述待测介质层的缺陷程度。