[发明专利]离子束刻蚀深度的监测方法无效
| 申请号： | 201410052343.2 | 申请日： | 2014-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN103824790A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 杨赛;盛斌;张大伟;唐庆勇;陈鹏 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种离子束刻蚀深度的监测方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：在石英晶振片的电极面上镀上一层标准材料作为镀膜层，得到镀膜石英晶振片；步骤二：将镀膜石英晶振片与待刻蚀材料置入离子束刻蚀机中，并将镀膜石英晶振片与频率检测装置相连；步骤三：同时对待刻蚀材料和镀膜层进行刻蚀，频率检测装置对镀膜层的刻蚀深度进行实时监控，当频率检测装置监测到镀膜层的刻蚀深度达到预定刻蚀深度时，停止刻蚀，得到符合目标刻蚀深度的刻蚀材料。本发明提供的离子束刻蚀深度的监测方法所用装置简单，易于操作，精确度好，成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 离子束 刻蚀 深度 监测 方法 | ||
【主权项】：
离子束刻蚀深度的监测方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：在石英晶振片的电极面上镀上一层标准材料作为镀膜层，得到镀膜石英晶振片；步骤二：将所述镀膜石英晶振片与待刻蚀材料置入离子束刻蚀机中，并将所述镀膜石英晶振片与频率检测装置相连；步骤三：同时对所述待刻蚀材料和所述镀膜层进行刻蚀，所述频率检测装置对所述镀膜层的刻蚀深度进行实时监控，当所述频率检测装置监测到所述镀膜层的刻蚀深度达到预定刻蚀深度时，停止刻蚀，得到符合目标刻蚀深度的刻蚀材料，其中，所述预定刻蚀深度根据所述目标刻蚀深度以及所述标准材料和所述待刻蚀材料的刻蚀速率比，计算得到。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
