[发明专利]像素结构有效
申请号: | 201410053072.2 | 申请日: | 2014-02-13 |
公开(公告)号: | CN104103644B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 陈家弘;林于茂;梁广恒;邱志建 | 申请(专利权)人: | 元太科技工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司11019 | 代理人: | 寿宁,张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明是有关于一种像素结构,包括基板、配置于基板上的主动元件、第二反射图案以及第三反射图案。主动元件包括栅极、通道、源极与漏极。源极与漏极连接于通道并彼此分离。通道与栅极在厚度方向上堆叠。第二反射图案及第三反射图案电性连接至主动元件的漏极。第二反射图案具有多个第二贯孔。第三反射图案堆叠于第二反射图案上且覆盖第二反射图案的多个第二贯孔。第二反射图案设置于第三反射图案与基板之间。此外,另多种像素结构亦被提出。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 | ||
【主权项】:
一种像素结构,其特征在于包括:基板;主动元件,配置于该基板上,并包括栅极、通道、源极与漏极,该源极与该漏极连接于该通道并彼此分离,而该通道与该栅极在厚度方向上堆叠;第二反射图案,电性连接至该主动元件的该漏极且具有多个第二贯孔;以及第三反射图案,电性连接至该主动元件的该漏极,其中该第三反射图案堆叠于该第二反射图案上且覆盖该第二反射图案的所述第二贯孔,而该第二反射图案设置于该第三反射图案与该基板之间,且该第三反射图案为不透光的材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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