[发明专利]离子注入过程中的温度监控方法有效
| 申请号： | 201410053110.4 | 申请日： | 2014-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN104851819B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 李法涛;阳厚国 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种离子注入过程中的温度监控方法，包括如下步骤：启动离子注入过程；实时监测离子注入过程中的真空度，并与预设的安全真空度范围进行比较；若实时监测的真空度在所述安全真空度范围之外，则执行警示响应。上述的离子注入过程中的温度监控方法，通过监测真空腔室内的真空度来反映温度，可以实现对温度的实时监测目的，时效性较高，能够有效预防过高的温度对光刻胶的影响，提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 过程 中的 温度 监控 方法 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入过程中的温度监控方法，包括如下步骤：启动离子注入过程；所述离子注入过程针对形成有光刻胶层的硅片，且所述硅片处于真空腔室内；通过错误检测和分类系统实时监测离子注入过程中的真空度获知温度变化，并与预设的安全真空度范围进行比较；所述真空度用于反映硅片的温度；所述安全真空度范围是离子注入过程的与多个不同阶段分别对应的多个范围；若实时监测的真空度在所述安全真空度范围之外，则执行警示响应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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