[发明专利]基于ICP的化合物半导体的外延生长装置及方法有效
| 申请号： | 201410053424.4 | 申请日： | 2014-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN103806093B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 罗毅;王健;郝智彪;汪莱 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C30B25/08 | 分类号： | C30B25/08;C30B25/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种基于ICP的化合物半导体的外延生长装置及方法，该装置包括真空反应腔；样品台，样品台位于真空反应腔的底部并绕中心点旋转；ICP激发单元，ICP激发单元位于真空反应腔的顶部；具有第一进气口的第一气路，用于向真空反应腔通入第一气态反应源；具有第二进气口的第二气路，用于向真空反应腔通入第二气态反应源；其中，ICP激发单元用于激发第一气态反应源和第二气态反应源电离分解，样品台可加热以将第一气态反应源和第二气态反应源热裂解，以进行外延生长。本发明的外延生长装置及方法具有生长温度低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 icp 化合物 半导体 外延 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种基于ICP的化合物半导体的外延生长装置，其特征在于，包括：真空反应腔；样品台，所述样品台位于所述真空反应腔的底部；ICP激发单元，所述ICP激发单元位于所述真空反应腔的顶部；具有第一进气口的第一气路，用于向所述真空反应腔通入第一气态反应源；具有第二进气口的第二气路，用于向所述真空反应腔通入第二气态反应源；其中，所述ICP激发单元用于激发所述第一气态反应源和第二气态反应源电离分解，产生高密度低能量的等离子体；所述样品台在垂直方向升降，以改变样品台和等离子体产生区域的距离，调节反应气体中的活性低能中性原子及分子、带电和高能粒子到达衬底表面的浓度和能量；所述的真空反应腔内包括隔离装置，所述隔离装置将所述真空反应腔分为等离子体放电区和等离子体下游区，所述隔离装置为空间隔离装置或时间隔离装置；所述样品台可加热以将所述第一气态反应源和第二气态反应源热裂解，并依靠样品台加热衬底，以进行外延生长，其中，所述的样品台绕中心点旋转。
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