[发明专利]一种陶瓷电容失效的分析方法有效

专利信息
申请号: 201410053562.2 申请日: 2014-02-17
公开(公告)号: CN103884952A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 杜海涛 申请(专利权)人: 深圳市易瑞来科技开发有限公司
主分类号: G01R31/02 分类号: G01R31/02;G01N21/88
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 518054 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明实施例提供了一种陶瓷电容失效的分析方法,属于电子设备中陶瓷电容领域,以能够准确分析出陶瓷电容的内部缺陷,提高分析成功率。所述陶瓷电容失效的分析方法,包括:对待分析的陶瓷电容进行阻值测试,将测得的阻值记为初始阻值,并根据所述初始阻值判断所述待分析的陶瓷电容的失效状态;将所述待分析的陶瓷电容制成金相切片样品,研磨,在研磨过程中对阻值进行实时测试,并将测得的阻值记为测试值;当所述测试值的变化量超过所述初始阻值的10%时,停止研磨,定位观察所述待分析的陶瓷电容的缺陷部位;对所述缺陷部位进行综合分析,确定所述待分析的陶瓷电容的失效原因。本发明可用于陶瓷电容失效的分析中。
搜索关键词: 一种 陶瓷 电容 失效 分析 方法
【主权项】:
一种陶瓷电容失效的分析方法,其特征在于,包括:对待分析的陶瓷电容进行阻值测试,将测得的阻值记为初始阻值,并根据所述初始阻值判断所述待分析的陶瓷电容的失效状态;将所述待分析的陶瓷电容制成金相切片样品,研磨,在研磨过程中对阻值进行实时测试,并将测得的阻值记为测试值;当所述测试值的变化量超过所述初始阻值的10%时,停止研磨,定位观察所述待分析的陶瓷电容的缺陷部位;对所述缺陷部位进行综合分析,确定所述待分析的陶瓷电容的失效原因。
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