[发明专利]用于等离子体晶片处理的混合边缘环

摘要

本发明涉及一种用于等离子体晶片处理的混合边缘环，具体公开了一种在等离子体处理室中使用的边缘环组件，所述边缘环组件包括射频导电环，其被定位在底板的环形表面上，并被配置为包围所述底板的上部，且在被定位在所述底板的上表面上的晶片的外缘下面延伸；以及晶片边缘保护环，其被定位在所述射频导电环的上表面的上方并且被配置为在所述晶片的外缘上延伸。所述保护环具有厚度均匀的内缘部分，所述内缘部分在所述晶片的外缘上延伸；从所述内缘部分向外延伸到水平上表面的圆锥形上表面；以及内环槽，所述内环槽被定位在所述射频导电环的上表面上并且被配置为在所述晶片的外缘上延伸。

主权项

一种用于等离子体处理室的边缘环组件，其包括：射频导电环，其被定位在底板的环形表面上，并被配置为包围所述底板的上部且在被定位在所述底板的上表面上的晶片的外缘下面延伸；以及晶片边缘保护环，其被定位在所述射频导电环的上表面的上方，并且被配置为在所述晶片的外缘上延伸，所述晶片边缘保护环具有被配置为在所述晶片的外缘上延伸的厚度均匀的内缘部分、从所述内缘部分向外延伸到水平上表面的圆锥形上表面以及被定位在所述射频导电环的上表面上并且被配置为在所述晶片的外缘上延伸的内环槽，所述内环槽具有水平的内部下表面，所述水平的内部下表面被定位在所述射频导电环的上表面的上方，并且其中所述水平的内部下表面从所述内缘部分的垂直内壁向外延伸到所述内环槽的垂直内壁，所述内环槽的垂直内壁靠近所述射频导电环的外缘。