[发明专利]检测方法、包括该方法的基板处理方法及基板处理装置在审
| 申请号： | 201410054295.0 | 申请日： | 2014-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN103996634A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 具一教;阿列克谢·加里宁;李守真;成晓星 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 半导体制造装置和利用该半导体制造装置的半导体制造方法，具体涉及利用等离子体的基板处理装置和利用该基板处理装置的基板处理方法。根据本发明的一实施例的基板处理方法包括：传送步骤，基板传送到腔体内部的处理空间；夹紧步骤，第1气体供给到上述处理空间并激发为等离子体状态，上述基板固定在支承部件上；基板处理步骤，第2气体供给到上述处理空间并激发为等离子体状态，对上述基板实施利用上述等离子体的工序；以及检测步骤，接受上述腔体内部的光并分析所接受的上述光从而检测上述腔体内部状况，在上述检测步骤中测量上述腔体内部状况，从而决定是否实施上述基板处理步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 方法 包括 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种检测方法，其中，接受在实施基板处理工序的腔体内部产生的光，并分析所接受的上述光来检测腔体内部的状况。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
