[发明专利]半导体存储器件及其编程方法有效
| 申请号： | 201410054311.6 | 申请日： | 2014-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN104424994B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 金南勋;李珉圭 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件的编程方法包括以下步骤：在第n编程循环中，将第一编程脉冲施加至第一存储器单元组、将第二编程脉冲施加至第二存储器单元组、以及判断第一存储器单元组中的第一快单元和第一慢单元；以及在第n+1编程循环中，将第一编程脉冲增加了步进电压的第三编程脉冲施加至第一存储器单元组中的第一快单元，以及将第二编程脉冲增加了步进电压的第四编程脉冲施加至第一存储器单元组中的第一慢单元和第二存储器单元组。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件的编程方法，所述编程方法包括以下步骤：在至少一个编程循环中，将第一编程脉冲施加至第一存储器单元组；将第二编程脉冲施加至第二存储器单元组；以及如果第一存储器单元组中的至少一个单元已经达到第一存储器单元组的目标电压电平，则判断所述第一存储器单元组中的第一快单元和第一慢单元，所述第一快单元具有高于验证电压的阈值电压，而所述第一慢单元具有低于验证电压的阈值电压，以及在所述至少一个编程循环之后的编程循环中，将所述第一编程脉冲增加了步进电压的第三编程脉冲施加至所述第一存储器单元组中的所述第一快单元；以及将所述第二编程脉冲增加了所述步进电压的第四编程脉冲施加至所述第一存储器单元组中的所述第一慢单元和所述第二存储器单元组，其中，第二存储器单元组的目标电压电平高于所述第一存储器单元组的目标电压电平，以及所述验证电压低于所述第一存储器单元组的目标电压电平。
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