[发明专利]一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成无定型碳层、硬掩膜层、牺牲材料层和具有腔室图案的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，实施第一蚀刻以蚀刻牺牲材料层，直至露出硬掩膜层；实施第二蚀刻以蚀刻硬掩膜层，直至露出无定型碳层；对所述光刻胶层实施固化处理；实施第三蚀刻以蚀刻无定型碳层，直至露出半导体衬底，以在无定型碳层中形成腔室，同时一并去除所述光刻胶层；对半导体衬底依次实施干法清洗和湿法清洗；实施第四蚀刻，以去除牺牲材料层和残留在牺牲材料层表面上的由前述蚀刻所产生的蚀刻副产物。根据本发明，可以有效减少所述蚀刻副产物的产生量。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成无定型碳层、硬掩膜层、牺牲材料层和具有腔室图案的光刻胶层，所述牺牲材料层的构成材料为锗；以所述光刻胶层为掩膜，实施第一蚀刻以蚀刻所述牺牲材料层，直至露出所述硬掩膜层；以所述光刻胶层和经过所述第一蚀刻的牺牲材料层为掩膜，实施第二蚀刻以蚀刻所述硬掩膜层，直至露出所述无定型碳层；对所述光刻胶层实施固化处理；以经过所述第一蚀刻的牺牲材料层和经过所述第二蚀刻的硬掩膜层为掩膜，实施第三蚀刻以蚀刻所述无定型碳层，直至露出所述半导体衬底，以在所述无定型碳层中形成腔室，同时一并去除所述光刻胶层；对所述半导体衬底依次实施干法清洗和湿法清洗；实施第四蚀刻，以去除所述牺牲材料层和残留在所述牺牲材料层的表面上的由前述蚀刻所产生的蚀刻副产物。