[发明专利]金属层致能定向自组装半导体布局设计有效

专利信息
申请号: 201410055608.4 申请日: 2014-02-19
公开(公告)号: CN104051452B 公开(公告)日: 2017-05-17
发明(设计)人: J·徐;V·戴 申请(专利权)人: 格罗方德半导体公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;G06F17/50
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司11314 代理人: 程伟,王锦阳
地址: 英属开曼群*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及金属层致能定向自组装半导体布局设计,揭示用于形成DSA预图案的半导体晶体管布局与所产生的器件的方法。具体实施例可包括通过定向自组装(DSA,Directed Self‑Assembly)以形成预图案晶体管布局,用以在该DSA预图案晶体管布局上面形成金属层,包括形成多个水平金属线;及形成多个垂直金属段,其与相邻水平金属线隔一距离且其间为不连续;及形成一或多个桥接点,每一个连接该多个水平金属线的一个至该多个垂直金属段的一个,其中所述桥接点的位置决定所产生的晶体管胞元的逻辑功能。
搜索关键词: 金属 层致能 定向 组装 半导体 布局 设计
【主权项】:
一种用于形成半导体装置的方法,包括:通过定向自组装(DSA)形成预图案晶体管布局;在该定向自组装预图案晶体管布局上方形成金属层,包括:形成多个水平金属线;及形成多个垂直金属段,其与相邻的水平金属线不连续且于该相邻的水平金属线之间,且该多个垂直金属段与该相邻的水平金属线不重叠;形成一或多个桥接点,每一桥接点连接该多个水平金属线的一个至该多个垂直金属段的一个;以及透过使用圆柱及/或球体形成团联共聚物的定向自组装石墨磊晶,在该金属层之上形成所述桥接点,其中,所述桥接点的位置决定所产生的晶体管胞元的逻辑功能。
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