[发明专利]金属层致能定向自组装半导体布局设计有效
申请号: | 201410055608.4 | 申请日: | 2014-02-19 |
公开(公告)号: | CN104051452B | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | J·徐;V·戴 | 申请(专利权)人: | 格罗方德半导体公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G06F17/50 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人: | 程伟,王锦阳 |
地址: | 英属开曼群*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及金属层致能定向自组装半导体布局设计,揭示用于形成DSA预图案的半导体晶体管布局与所产生的器件的方法。具体实施例可包括通过定向自组装(DSA,Directed Self‑Assembly)以形成预图案晶体管布局,用以在该DSA预图案晶体管布局上面形成金属层,包括形成多个水平金属线;及形成多个垂直金属段,其与相邻水平金属线隔一距离且其间为不连续;及形成一或多个桥接点,每一个连接该多个水平金属线的一个至该多个垂直金属段的一个,其中所述桥接点的位置决定所产生的晶体管胞元的逻辑功能。 | ||
搜索关键词: | 金属 层致能 定向 组装 半导体 布局 设计 | ||
【主权项】:
一种用于形成半导体装置的方法,包括:通过定向自组装(DSA)形成预图案晶体管布局;在该定向自组装预图案晶体管布局上方形成金属层,包括:形成多个水平金属线;及形成多个垂直金属段,其与相邻的水平金属线不连续且于该相邻的水平金属线之间,且该多个垂直金属段与该相邻的水平金属线不重叠;形成一或多个桥接点,每一桥接点连接该多个水平金属线的一个至该多个垂直金属段的一个;以及透过使用圆柱及/或球体形成团联共聚物的定向自组装石墨磊晶,在该金属层之上形成所述桥接点,其中,所述桥接点的位置决定所产生的晶体管胞元的逻辑功能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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