[发明专利]半导体存储装置及闪存存储器的编程方法有效
| 申请号： | 201410057417.1 | 申请日： | 2014-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN104282336B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 白田理一郎 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/24 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 李昕巍,赵根喜 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置及闪存存储器的编程方法，抑制存储器单元的绝缘膜的劣化。本发明的闪存存储器的编程方法中，使包含经编程的编程单元的单元组与位线BL电性分离，且使未包含编程单元的单元组电性耦合于位线BL，对所选择的字线施加编程电压，且对非选择的字线施加非选电压。而且，在施加编程电压的期间，使P井内产生载子，并将通过耗尽区域而进行电场加速的热载子注入至存储器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 闪存 存储器 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种闪存存储器的编程方法，所述闪存存储器包含存储器阵列，所述存储器阵列在第1导电型的第1半导体区域内形成有多个NAND型单元组，且所述闪存存储器的编程方法的特征在于，包含：使包含编程单元的单元组与对应的位线电性分离，且使未包含编程单元的单元组电性耦合于对应的位线；对所选择的字线施加编程电压，且对非选择的字线施加非选电压；在施加所述编程电压的期间，使所述第1半导体区域内产生载子；及对所述编程单元注入热载子，其中在包含所述编程单元的所述单元组与对应的位线电性分离，且未包含所述编程单元的所述单元组电性耦合于对应的位线的情况下，进行所述对所选择的字线施加所述编程电压，且对非选择的字线施加所述非选电压的步骤、所述使所述第1半导体区域内产生所述载子的步骤以及所述注入所述热载子的步骤。
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