[发明专利]高压快速恢复沟槽二极管有效
| 申请号： | 201410057462.7 | 申请日： | 2014-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN104009068B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 胡军;卡西克·帕德马纳班;马督儿·博德;哈姆扎·依玛兹 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人： | 张静洁,徐雯琼 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的各个方面提出了高压快速恢复沟槽二极管及其制备方法。该器件具有至少穿过顶部P‑层和N‑势垒层延伸的沟槽。导电材料沉积在沟槽中，电介质材料内衬导电材料和沟槽侧壁之间的沟槽。重掺杂P‑区形成在沟槽之间的顶部P‑层的顶部。浮动N‑区形成在P‑区下方。浮动N‑区的宽度等于或大于P‑区宽度。要强调的是，本摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 快速 恢复 沟槽 二极管 | ||
【主权项】：
一种沟槽二极管，包括：一个第一导电类型的外延层；一个第一导电类型的势垒层，其形成在外延层的顶面上方；一个第二导电类型的顶层，其形成在势垒层的顶面上方；一个或多个沟槽，其穿过顶层和势垒层，其特征在于，导电材料沉积在沟槽中，内衬沟槽的电介质材料在导电材料和沟槽的侧壁之间；一个接触区，其形成在顶层的顶部，所述的接触区为第二导电类型，所述接触区的掺杂浓度大于所述顶层的掺杂浓度；一个电浮动区，其形成在接触区下方，所述电浮动区为第一导电类型，电浮动区的宽度等于或大于接触区的宽度；以及一个电极，用于接触接触区、顶层和导电材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于万国半导体股份有限公司，未经万国半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410057462.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
