[发明专利]PNbZT铁电薄膜的制造方法和复合电子部件有效
| 申请号： | 201410057519.3 | 申请日： | 2014-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN104072135B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 土井利浩;樱井英章;曽山信幸 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 康泉,王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种PNbZT铁电薄膜的制造方法和复合电子部件。该方法中，将用于形成不含Nb的PZT铁电薄膜的组合物涂布在形成于基板（10）的下部电极（11）上，预烧结后，进行烧成来使其结晶化，从而形成厚度45～90nm的结晶化促进层（12），在上述形成的结晶化促进层（12）上涂布用于形成PNbZT铁电薄膜的组合物来形成PNbZT的涂膜（13a），对该涂膜（13a）进行预烧结后，进行烧成来使其结晶化，从而在上述下部电极（11）上形成PNbZT铁电薄膜，其中，在所述PNbZT铁电薄膜中，与组合物中所含的钙钛矿B位原子即Zr及Ti的总计100原子%中含有4～10原子%的Nb。 | ||
| 搜索关键词： | pnbzt 薄膜 制造 方法 复合 电子 部件 | ||
【主权项】：
一种PNbZT铁电薄膜的制造方法，其特征在于，将用于形成由不含Nb的锆钛酸铅即PZT系复合钙钛矿膜构成的铁电薄膜的组合物涂布在形成于基板的下部电极上，预烧结后，进行烧成来使其结晶化，从而形成厚度45～90nm的结晶化促进层，在所述形成的结晶化促进层上，涂布用于形成由锆铌钛酸铅即PNbZT系复合钙钛矿膜构成的铁电薄膜的组合物来形成PNbZT的涂膜，其中，在所述锆铌钛酸铅系复合钙钛矿膜中，与B位原子即Zr、Ti的总计100原子％中含有4～10原子％的Nb，对所述涂膜进行预烧结后，进行烧成来使其结晶化，从而在所述下部电极上形成厚度为285～330nm的PNbZT铁电薄膜。
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