[发明专利]带有源应变源的GeSnn沟道隧穿场效应晶体管

摘要

本发明提供一种带有源应变源的GeSnn沟道隧穿场效应晶体管（10），其结构包括GeSnn沟道、源极、漏极、源应变源、绝缘介电质薄膜和栅电极。所述源应变源（102）生长在源极区域（101），GeSnn沟道上生长绝缘介电质薄膜（105），绝缘介电质薄膜上覆盖一层栅（104）。源应变源（102）的晶格常数比源极区（101）大，形成对沟道区的应变，在yz平面内为双轴张应变，在x方向为单轴压应变。该应变有利于n沟道GeSn从间接带隙变成直接带隙，从而形成直接量子隧穿，隧穿电流增大，进而提高TFET的性能。

主权项

一种带有源应变源的GeSn n沟道隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括：一n沟道（103），为GeSn单晶材料；一绝缘介电质薄膜（105），位于沟道上；一栅电极（104），位于所述绝缘介电质薄膜上；一源极（101）和一漏极（106），均为单晶GeSn材料；一源应变源（102），位于源极之上；其中，源应变源的晶格常数比源极的晶格常数大，形成沿沟道方向的单轴压应变，沿垂直沟道的平面内形成双轴张应变。