[发明专利]磁控溅射镀膜系统有效
| 申请号： | 201410057887.8 | 申请日： | 2014-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN103820762A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 张迅;阳威;欧阳小园;易伟华 | 申请（专利权）人： | 江西沃格光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/56 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 338004 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁控溅射镀膜系统，包括成直线式排列的进片室、第一缓冲室、第一过渡室、溅射镀膜室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室，溅射镀膜腔室包括依次连接的第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室和第四直流溅射室，第一直流溅射室与第一过渡室连接，第四直流溅射室与第二过渡室连接，第一直流溅射室中设置有两个第一阴极靶，第二直流溅射室中设置有两个第二阴极靶，第三直流溅射室中设置有两个第三阴极靶，第四直流溅射室中设置有两个第四阴极靶。使用该磁控溅射镀膜系统进行镀膜，能够有效降低破片率并有利于镀制方阻较低的薄膜，满足on-cell镀膜工艺要求，提高生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 镀膜 系统 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射镀膜系统，其特征在于，包括成直线式排列的进片室、第一缓冲室、第一过渡室、溅射镀膜室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室，所述溅射镀膜腔室包括依次连接的第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室和第四直流溅射室，所述第一直流溅射室与所述第一过渡室连接，所述第四直流溅射室与所述第二过渡室连接，所述第一直流溅射室中设置有两个第一阴极靶，所述第二直流溅射室中设置有两个第二阴极靶，所述第三直流溅射室中设置有两个第三阴极靶，所述第四直流溅射室中设置有两个第四阴极靶。
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