[发明专利]半导体元件及其操作方法有效
| 申请号： | 201410057949.5 | 申请日： | 2014-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN104867971B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 陈明新;张名辉;吴伟庭;赖滢州;陈宏男;杨崇立;杨进盛 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其操作方法。半导体元件包括P型衬底、P型第一阱区、N型第二阱区、栅极、N型源极、N型漏极、虚设栅极以及N型第一深阱区。第一阱区配置于衬底中。第二阱区配置于邻近第一阱区的衬底中。栅极配置于衬底上且覆盖部分第一阱区和部分第二阱区。源极配置于栅极的一侧的第一阱区中。漏极配置于栅极的另一侧的第二阱区中。虚设栅极配置于栅极和漏极之间的衬底上。第一深阱区配置于衬底中且环绕第一阱区和第二阱区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包括：具有第一导电型的第一阱区，配置于具有所述第一导电型的衬底中；具有第二导电型的第二阱区，配置于邻近所述第一阱区的所述衬底中；栅极，配置于所述衬底上且覆盖部分所述第一阱区和部分所述第二阱区；具有所述第二导电型的源极，配置于所述栅极的一侧的所述第一阱区中；具有所述第二导电型的漏极，配置于所述栅极的另一侧的所述第二阱区中；虚设栅极，配置于所述栅极和所述漏极之间的所述衬底上；具有所述第二导电型的第一深阱区，配置于所述衬底中且环绕所述第一阱区和所述第二阱区；以及具有所述第一导电型的第二深阱区，所述第二深阱区配置于所述第一深阱区与所述第一和第二阱区中每一者之间的所述衬底中，且所述第一深阱区与所述第一阱区和所述第二阱区相隔一距离，其中所述第一和第二深阱区的掺杂浓度大于所述第一和第二阱区的掺杂浓度。
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