[发明专利]一种平面TEM样品的制备方法有效
申请号: | 201410058095.2 | 申请日: | 2014-02-20 |
公开(公告)号: | CN104865107B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 赵耀斌;戴海波;李日鑫 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G01N1/28 | 分类号: | G01N1/28 |
代理公司: | 上海光华专利事务所31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种平面TEM样品的制备方法,至少包括以下步骤提供一含有目标区域的样品,在所述目标区域下方和一侧距离为d1的位置分别做第一直线标记和第二直线标记;在与所述目标区域上方距离为d2的位置做第三直线标记;在所述第三直线标记的一端、与目标区域最小距离为d3的位置做等腰三角形标记;将上述样品进行截面切割;在目标区域上方两侧、与所述目标区域最小距离为d4的位置分别做第四直线标记和第五直线标记;在上述样品截面上沉积保护层;将所得到的样品进行平面TEM样品制备。整个制备过程中每一步骤都定位精确,大大节省了样品的制备时间,有效地提高了样品制备的成功率。 | ||
搜索关键词: | 一种 平面 tem 样品 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种平面TEM样品的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)提供一含有目标区域的样品,在距所述目标区域下方和一侧距离为d1的位置分别做第一直线标记和第二直线标记,所述第一直线标记和所述第二直线标记相互垂直,且所述第一直线标记和所述第二直线标记的交点位于所述目标区域内;2)在与所述目标区域上方距离为d2的位置做第三直线标记;3)在所述第三直线标记的一端、与目标区域最小距离为d3的位置做等腰三角形标记;所述等腰三角形标记的高线与所述第三直线标记重合,且所述等腰三角形的顶角朝向所述第三直线标记;4)沿所述高线与所述第三直线标记重合的位置将步骤3)所得到的样品进行截面切割;5)接着在目标区域上方两侧、与所述目标区域最小距离为d4的位置分别做第四直线标记和第五直线标记;6)在步骤5)所得到的样品截面上沉积一层保护层;7)将步骤6)所得到的的样品垂直放入FIB中进行平面TEM样品制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410058095.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种在类岩石相似材料试件中预制粗糙裂隙的方法
- 下一篇:反应釜取样装置