[发明专利]一种以胶体NiO纳米晶薄膜为空穴传输层的光电器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201410058534.X | 申请日： | 2014-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN103840047A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 金一政;梁骁勇;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L51/42;H01L31/0264;H01L31/18;H01L33/00;H01L51/48 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以胶体NiO纳米晶薄膜为空穴传输层的光电器件，所述的光电器件由下至上依次为阳极、空穴传输层、活性层、电子传输层和阴极，所述的空穴传输层为NiO胶体纳米晶薄膜。本发明还公开了所述光电器件的制备方法，制备工艺简单、节约成本，尤其是适合制备柔性光电器件。本发明制备的胶体NiO纳米晶兼具固体纳米NiO材料的性质和可采用低温溶液工艺加工的特点，且具有更高的稳定性及功函数，更易于传输空穴，作为空穴传输层不仅能够降低器件的界面阻抗而且能够明显提高空穴传输效率，进而提高光电器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 胶体 nio 纳米 薄膜 空穴 传输 光电 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种以胶体NiO纳米晶薄膜为空穴传输层的光电器件，所述的光电器件由下至上依次为阳极、空穴传输层、活性层、电子传输层和阴极，其特征在于，所述的空穴传输层为胶体NiO纳米晶薄膜。
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