[发明专利]电容传感阵列的交错传感元件有效

专利信息
申请号: 201410059182.X 申请日: 2014-02-21
公开(公告)号: CN104423758A 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 欧勒山德·霍斯塔纳;伊戈尔·克拉维茨 申请(专利权)人: 赛普拉斯半导体公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 周靖;郑霞
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本公开涉及电容传感阵列的交错传感元件。描述了具有交错传感元件的传感阵列的装置和方法。一个电容传感阵列包括第一电极和被布置为在第一轴线上相邻于第一电极的第二电极。电容传感阵列包括在第一轴线上的传感器间距。第一电极包括第一传感元件和第一交错传感元件,第一传感元件包括第一形状,第一交错传感元件与第二电极的第一部分和第二部分交错以延伸第一电极的第一尺寸到大于在第一轴线上的传感器间距。第二电极包括第二传感元件和第二交错传感元件,第二传感元件包括第一形状,第二交错传感元件与第一电极的第一部分和第二部分交错以延伸第二电极的第二尺寸到大于在第一轴线上的传感器间距。
搜索关键词: 电容 传感 阵列 交错 元件
【主权项】:
一种电容传感阵列,包括:第一电极;和第二电极,所述第二电极被布置成在第一轴线上与所述第一电极相邻,其中所述电容传感阵列包括在所述第一轴线上的传感器间距,其中所述第一电极包括:第一传感元件,所述第一传感元件包括第一形状;和第一交错传感元件,其中所述第一交错传感元件被布置成与所述第二电极的第一部分和第二部分交错,以将所述第一电极的第一尺寸延伸为大于在所述第一轴线上的所述传感器间距,其中所述第二电极包括:第二传感元件,所述第二传感元件包括所述第一形状;和第二交错传感元件,其中所述第二交错传感元件被布置成与所述第一电极的第一部分和第二部分交错,以将所述第二电极的第二尺寸延伸为大于在所述第一轴线上的所述传感器间距。
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