[发明专利]一种基于服务器的晶圆缺陷监测分析方法在审
申请号: | 201410059888.6 | 申请日: | 2014-02-21 |
公开(公告)号: | CN103871921A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 龚丹莉;邵雄 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种基于服务器的缺陷监测分析方法,包括:设定服务器的分析比对模块的特定类型缺陷;将缺陷扫描机的缺陷扫描结果导入服务器中;服务器的分析比对模块将缺陷扫描机导入的缺陷扫描结果与特定类型缺陷对比;如果缺陷扫描结果达到特定类型缺陷,则服务器的报警模块进行报警。本发明的技术方案通过缺陷检测分析,自动进行缺陷警报,可以快速的获取缺陷情况,工程师可以进行实时缺陷分析,以提高制程良率,避免制程失败情况。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 服务器 缺陷 监测 分析 方法 | ||
【主权项】:
一种基于服务器的晶圆缺陷监测分析方法,所述服务器与缺陷扫描机台连接,所述服务器中包括分析比对模块和报警模块,其特征在于,所述缺陷监测分析方法包括以下步骤:步骤1,在所述服务器的分析比对模块中设定的关于晶圆的特定类型缺陷规格;步骤2,将所述缺陷扫描机获得的关于晶圆的缺陷扫描结果导入所述服务器中;步骤3,所述服务器的分析比对模块将所述缺陷扫描机导入的缺陷扫描结果与所述特定类型缺陷规格对比;步骤4,如果所述缺陷扫描结果达到所述特定类型缺陷规格,则所述服务器的报警模块进行报警。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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