[发明专利]一种TFT阵列基板及其制作方法、显示面板有效
申请号: | 201410060827.1 | 申请日: | 2014-02-24 |
公开(公告)号: | CN103943564B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 梁艳峰 | 申请(专利权)人: | 上海中航光电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/02;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 201108 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种TFT阵列基板,包括一基板;栅极、栅极线和公共电极线;半导体图形;第一电极和第二电极,所述第二电极不覆盖所述栅极的边缘;连接图形,所述连接图形通过一过孔与所述第二电极电连接。本发明避免了LCD中像素开关TFT失去控制导致显示亮点缺陷的产生,提高了LCD显示画面的质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 tft 阵列 及其 制作方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
一种TFT阵列基板,包括:一基板;位于所述基板上的第一导电层,所述第一导电层包括栅极、栅极线和公共电极线;位于所述栅极层上的第一绝缘层;位于所述第一绝缘层上的半导体层,所述半导体层包括层叠的本征半导体层和欧姆接触层,所述半导体层包括与栅极对应设置的半导体图形;位于所述半导体层上的第二导电层,所述第二导电层包括第一电极和第二电极,所述第二电极不覆盖所述栅极的边缘;位于所述第二导电层上的第二绝缘层,所述第二绝缘层具有暴露出部分所述第二电极的第一过孔;位于所述第二绝缘层上的第三导电层,所述第三导电层包括连接图形,所述连接图形通过所述第一过孔与所述第二电极电连接;所述第三导电层进一步包括像素电极,所述连接图形覆盖所述栅极的边缘,用于将所述第二电极与所述像素电极电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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