[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201410061074.6 | 申请日： | 2014-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN104465741A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 安本恭章;梁濑直子;阿部和秀;内原士;齐藤泰伸;仲敏行;吉冈启;小野祐;大野哲也;藤本英俊;增子真吾;古川大;八木恭成;汤元美树;饭田敦子 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/872;H01L29/40 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐冰冰;刘杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，具备：GaN系半导体层，表面相对m面或a面具有0度以上5度以下的角度；第一电极，设置于上述表面，具有第一端部；以及第二电极，与第一电极分离地设置于上述表面，具有与第一端部对置的第二端部，连接第一端部的任意点和第二端部的任意点的线段的方向与GaN系半导体层的c轴方向不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：GaN系半导体层，表面相对m面或a面具有0度以上5度以下的角度；第一电极，设置于上述表面，具有第一端部；以及第二电极，与上述第一电极分离地设置于上述表面，具有与上述第一端部对置的第二端部，连接上述第一端部的任意点和上述第二端部的任意点的线段的方向与上述GaN系半导体层的c轴方向不同。
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