[发明专利]光刻工艺中的曝光场的尺寸选择方法

摘要

一种光刻工艺中的曝光场的尺寸选择方法，用于选择扫描式光刻机和步进式光刻机的曝光场尺寸，包括获取待生产的芯片尺寸xd×yd；获取待光刻的晶圆的半径R；定义横轴方向上的两个shot的中心距离晶圆中心的距离为X、纵轴方向上的两个shot的中心距离晶圆中心的距离为Y、晶圆的去边长度d；扫描式光刻机的最大曝光场尺寸为xsc_max×ysc_max，步进式光刻机的最大曝光场尺寸为xst_max×yst_max；xsc=ax×xd、ysc=ay×yd、xst=bx×xd、yst=by×yd；根据以下约束条件计算ax、bx、ay、by的值（1）kx×ax×xd=lx×bx×xd=X，同时ky×ay×yd=ly×by×yd=Y；（2）xsc＜xsc_max、ysc＜ysc_max、xst＜xst_max、yst＜yst_max；（3）X+0.5xsc＜R‑d、Y+0.5ysc＜R‑d；（4）kx、ax、lx、bx、ky、ay、ly、by均为整数。

主权项

一种光刻工艺中的曝光场的尺寸选择方法，用于在同时利用扫描式光刻机和步进式光刻机的光刻过程中，选择扫描式光刻机的曝光场尺寸xsc×ysc和步进式光刻机的曝光场尺寸xst×yst，所述扫描式光刻机用于形成第一光刻图形，所述步进式光刻机用于形成第二光刻图形，所述选择方法使得位于第一光刻图形层上的、且与中心距离最远的4个shot分别与位于第二光刻图形层上的、且与中心距离最远的4个shot中心重合，包括如下步骤：获取待生产的芯片尺寸xd×yd；获取待光刻的晶圆的半径R；定义横轴方向上的与晶圆中心距离最远的两个shot中每个shot的中心距离晶圆中心的距离为X、纵轴方向上的与晶圆中心距离最远的两个shot中每个shot的中心距离晶圆中心的距离为Y、晶圆的去边长度d；扫描式光刻机的最大曝光场尺寸为xsc_max×ysc_max，步进式光刻机的最大曝光场尺寸为xst_max×yst_max；xsc＝ax×xd、ysc＝ay×yd、xst＝bx×xd、yst＝by×yd；根据以下约束条件计算ax、bx、ay、by的值：(1)kx×ax×xd＝lx×bx×xd＝X，同时ky×ay×yd＝ly×by×yd＝Y；条件式(1)表示在距离X内、横向上有kx×ax个、或者lx×bx个芯片图形，在距离Y内、纵向上有ky×ay、或者ly×by个芯片图形；(2)xsc＜xsc_max、ysc＜ysc_max、xst＜xst_max、yst＜yst_max；(3)X+0.5xsc＜R‑d、Y+0.5ysc＜R‑d；(4)kx、ax、lx、bx、ky、ay、ly、by均为整数。