[发明专利]半导体封装结构的形成方法有效
| 申请号： | 201410061267.1 | 申请日： | 2014-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN103903989A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 夏鑫;丁万春;高国华 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体封装结构的形成方法，包括：提供半导体芯片，在芯片的焊盘上依次形成耐热金属层和金属浸润层，在金属浸润层上依次形成附着层和阻挡层，在阻挡层上形成焊料后回流，形成柱状凸点；提供引线框架，将形成有柱状凸点的芯片倒装于引线框架上，所述柱状凸点与引线框架的内引脚电连接；形成密封所述芯片、柱状凸点和引线框架，并裸露出所述外引脚的塑封层。本发明使得封装结构占据的横向的面积减小，整个封装结构的体积相应减小，提高了封装结构的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体芯片，所述芯片的表面设有焊盘和钝化层，所述钝化层设有裸露所述焊盘的第一开口；在芯片的焊盘和钝化层上依次形成耐热金属层和金属浸润层；在金属浸润层上形成光刻胶，所述光刻胶设有曝露出芯片焊盘上方金属浸润层的第二开口；在第二开口中的金属浸润层上依次形成附着层和阻挡层；在阻挡层上形成焊料；去除光刻胶；蚀刻钝化层上的耐热金属层和金属浸润层至钝化层裸露；回流焊料，形成柱状凸点；提供引线框架，所述引线框架设有若干分立的引脚，内引脚和外引脚设于引脚的相对两面；将形成有柱状凸点的芯片倒装于引线框架上，所述柱状凸点与所述内引脚电连接；形成密封所述芯片、柱状凸点和引线框架，并裸露出所述外引脚的塑封层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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