[发明专利]金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法

摘要

金属氧化物半导体薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层以及金属氧化物半导体层。栅极绝缘层位于栅极与金属氧化物半导体层之间。栅极绝缘层包括氮氧化硅层和氧化硅层。氮氧化硅层位于栅极与氧化硅层之间。氧化硅层位于氮氧化硅层与金属氧化物半导体层之间，且氧化硅层具有与氮氧化硅层接触的第一表面以及与金属氧化物半导体层接触的第二表面。氧化硅层靠近第二表面的氧原子密度大于氧化硅层靠近第一表面的氧原子密度。金属氧化物半导体薄膜晶体管，在减少工艺时间的同时，有效的解决了因成膜应力过大而导致的玻璃基板易破片的问题，并有利于减少栅极绝缘层对金属氧化物半导体层中的氧含量的影响。

主权项

一种金属氧化物半导体薄膜晶体管，包括栅极、栅极绝缘层以及金属氧化物半导体层，该栅极绝缘层位于该栅极与该金属氧化物半导体层之间，其特征在于，该栅极绝缘层包括氮氧化硅层和氧化硅层，该氮氧化硅层位于该栅极与该氧化硅层之间；该氧化硅层位于该氮氧化硅层与该金属氧化物半导体层之间，且该氧化硅层具有与该氮氧化硅层接触的第一表面以及与该金属氧化物半导体层接触的第二表面，该氧化硅层靠近该第二表面的氧原子密度大于该氧化硅层靠近该第一表面的氧原子密度，该氧化硅层包括第一氧化硅层和第二氧化硅层，该第一氧化硅层位于该氮氧化硅层和该第二氧化硅层之间，该第二氧化硅层位于该第一氧化硅层和该金属氧化物半导体层之间，该第一氧化硅层与该氮氧化硅层接触的表面为该第一表面，该第二氧化硅层与该金属氧化物半导体层之接触的表面为该第二表面，该第二氧化硅层的氧原子密度大于该第一氧化硅层的氧原子密度。