[发明专利]基于溶液法实现的自组装无电沉积制备铜铟镓硒三维纳米结构阵列无效
申请号: | 201410062013.1 | 申请日: | 2014-02-24 |
公开(公告)号: | CN103824898A | 公开(公告)日: | 2014-05-28 |
发明(设计)人: | 马荔;张彬;周桃;郑茂俊 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032;B82Y40/00;B82Y30/00;C25D11/12;C25D11/08;C25D11/10;C23C14/35;C23C14/18 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人: | 王毓理;王锡麟 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种自组装无电沉积制备铜铟镓硒三维纳米结构阵列的制备方法,通过将背面溅射有金属钼四周带铝支撑的多孔氧化铝模板作为CIGS生长基底,浸入以铜、铟、镓和硒离子的混合液作为铜铟镓硒生长液中使得铜铟镓硒在CIGS生长基底上自组装生长,经退火后得到三维纳米结构的CIGS材料。本发明丰富了纳米结构CIGS的制备方法,为以后进一步制备高效率,大面积,低功耗,低成本的纳米太阳能电池和p-n结器件研究提供了材料支持。制备方法相对简单,不需要需昂贵的真空设备,对周围环境没有特殊要求,适宜工业普及。 | ||
搜索关键词: | 基于 溶液 实现 组装 沉积 制备 铜铟镓硒 三维 纳米 结构 阵列 | ||
【主权项】:
一种自组装无电沉积制备铜铟镓硒三维纳米结构阵列的制备方法,其特征在于,将背面溅射有金属钼四周带铝支撑的多孔氧化铝模板作为CIGS生长基底,浸入以铜、铟、镓和硒离子的混合液作为铜铟镓硒生长液中使得铜铟镓硒在CIGS生长基底上自组装生长,经退火后得到三维纳米结构的CIGS材料;所述的金属钼四周带铝支撑的多孔氧化铝模板包括:低场草酸氧化铝模板和高场磷酸氧化铝模板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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