[发明专利]一种干法制备纳米线阵列气敏元件的方法有效
| 申请号： | 201410062021.6 | 申请日： | 2014-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN103868951A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 岳双林 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;B82Y40/00;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 俞达成 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种干法制备纳米线阵列气敏元件的方法。本方法为：1）在基片上制备一梳齿状电极阵列；2）从所述梳齿状电极阵列中分离出一个电极单元基片；3）将分离出的所述电极单元基片的电极所在面贴到生长有纳米线薄膜的基片上，然后沿垂直于电极单元梳齿方向推压所述电极单元基片，将纳米线粘附到所述电极单元基片上，得到纳米线阵列气敏元件。本发明的气敏元件气敏性能高、纳米线利用率高，环保且确保了纳米线不受污染和材料本征性能的体现，有利于后续气敏机理分析。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 法制 纳米 阵列 元件 方法 | ||
【主权项】：
一种干法制备纳米线阵列气敏元件的方法，其步骤为：1）在基片上制备一梳齿状电极阵列；2）从所述梳齿状电极阵列中分离出一个电极单元基片；3）将分离出的所述电极单元基片的电极所在面贴到生长有纳米线薄膜的基片上，然后沿垂直于电极单元梳齿方向推压所述电极单元基片，将纳米线粘附到所述电极单元基片上，得到纳米线阵列气敏元件。
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