[发明专利]光电子器件和图像传感器有效

专利信息
申请号: 201410062108.3 申请日: 2014-02-24
公开(公告)号: CN104009158B 公开(公告)日: 2019-06-28
发明(设计)人: 朴敬培;金奎植;李光熙;林东皙;林宣晶 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L27/30
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 翟然
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开了光电子器件以及包括该光电子器件的图像传感器。该光电子器件包括:第一电极,包括第一金属;有源层,设置在第一电极和第二电极之间;以及扩散阻挡层,设置在第一电极和有源层之间,扩散阻挡层包括第二金属,其中第二金属具有比第一金属的热扩散率低的热扩散率,并且其中第一电极和扩散阻挡层配置为透射光。
搜索关键词: 光电子 器件 图像传感器
【主权项】:
1.一种有机图像传感器,包括:感光器件的阵列;滤色器的阵列,在所述感光器件的阵列上;和光电子器件,在所述滤色器的阵列上;其中所述光电子器件包括:第一电极,包括第一金属并透射入射光,有源层,设置在所述第一电极和第二电极之间,所述有源层包括选择性吸收绿色波长区域中的光的有机材料,扩散阻挡层,包括第二金属,设置在所述第一电极和所述有源层之间并配置为透射光,其中所述第二金属的热扩散率低于所述第一金属的热扩散率,以及光透射辅助层,形成在所述第一电极上且在所述第一电极的与所述扩散阻挡层相反的一侧,其中所述光透射辅助层降低入射光的反射率并改善入射光被所述光电子器件的吸收,其中所述第一金属包括银(Ag)、铬(Cr)、锗(Ge)、其合金、或其组合,并且所述第二金属包括铝(Al)、钴(Co)、钌(Ru)、钯(Pd)、其合金、或其组合,并且其中所述扩散阻挡层与所述第一电极直接接触,并且所述扩散阻挡层配置为部分地或完全地防止所述第一电极的所述第一金属扩散到所述有源层中,所述光透射辅助层包括具有1.6至2.5的折射率的金属氧化物和金属硫化物中的至少一种,所述金属氧化物包括钨氧化物、锌氧化物、铝氧化物、铝锡氧化物、氟掺杂的锡氧化物、钼氧化物、钒氧化物、铼氧化物、铌氧化物、钽氧化物、钛氧化物、镍氧化物、铜氧化物、钴氧化物、锰氧化物、铬氧化物或其组合,其中所述有源层吸收期望波长区域中的光以在所述光电子器件中生成电流。
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