[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201410063274.5 | 申请日： | 2014-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN104465792A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 森塚宏平 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/868;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐冰冰;刘杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，具备：第一电极；第二电极；第一导电型的第一半导体层，设置于上述第一电极与上述第二电极之间，具有硅碳化物；第一导电型的第二半导体层，设置于上述第一半导体层与上述第二电极之间，杂质浓度比上述第一半导体层低，具有硅碳化物；第二导电型的第三半导体层，设置于上述第二半导体层与上述第二电极之间，具有硅碳化物；以及多个绝缘层，设置于上述第三半导体层与上述第二电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：第一电极；第二电极；第一导电型的第一半导体层，设置于上述第一电极与上述第二电极之间，具有硅碳化物；第一导电型的第二半导体层，设置于上述第一半导体层与上述第二电极之间，杂质浓度比上述第一半导体层低，具有硅碳化物；第二导电型的第三半导体层，设置于上述第二半导体层与上述第二电极之间，具有硅碳化物；以及多个绝缘层，设置于上述第三半导体层与上述第二电极之间。
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