[发明专利]GeSn层及其形成方法在审
| 申请号： | 201410063532.X | 申请日： | 2014-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN103811304A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 肖磊;王敬;赵梅;梁仁荣;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265;H01L21/203;H01L29/161 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种GeSn层及其形成方法。该GeSn层的形成方法包括以下步骤：提供顶部具有Ge层的衬底；向Ge层表层注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以形成GeSn层。该方法能够形成厚度较薄、质量较好的GeSn层，具有简单易行、成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | gesn 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种GeSn层的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供顶部具有Ge层的衬底；向所述Ge层表层注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以形成GeSn层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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