[发明专利]一种低电场源极抹除非挥发性内存单元及其制造方法

摘要

本发明涉及一种低电场源极抹除非挥发性内存单元，包含一基板，该基板具有上表面或与上表面相接的沟槽，上表面的一侧形成漏极区，另一侧形成源极区。该源极区具有一从浓掺杂区向漏极一侧延伸的淡掺杂区，形成于基板上表面或该沟槽的侧墙表面上。该内存结构还包括第一介电层、选择栅极区、穿隧介电层、悬浮栅极区、控制栅极区、以及第二介电层。其中悬浮栅极区的一侧外缘与源极淡掺杂区对其，并与浓掺杂区形成水平或垂直错位。本发明能够减轻栅极引发源极漏电流效应所造成的漏电流，并对导通电流大小有良好的控制，更能进一步配合先进制程缩小内存单元的单位面积与制造的完整性。

主权项

一种低电场源极抹除非挥发性内存单元，其特征在于，包含：一基板，所述基板设置有一源极扩散区及一漏极扩散区，且所述源极扩散区具有从浓掺杂区延伸出的淡掺杂区；一第一介电层，形成于所述基板的上表面，且位于所述漏极扩散区一侧；一穿隧介电层，形成于所述基板的上表面，且位于所述源极扩散区一侧，所述穿隧介电层的下表面与所述源极扩散区的淡掺杂区相接或者部分重叠；一选择栅极区，形成于所述第一介电层之上；一悬浮栅极区，形成于所述穿隧介电层的表面上，且一侧边缘与所述源极扩散区的淡掺杂区相接或者部分重叠，并与所述源极扩散区的浓掺杂区形成一距离错位；一第二介电层，形成于所述悬浮栅极区的表面上；以及一控制栅极区，形成于所述悬浮栅极区的表面上，且所述控制栅极区与所述悬浮栅极区以所述第二介电层相绝缘。